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采用低温热分解法制备了Ti基IrO2-Ta2O5氧化物涂层电极.通过X射线衍射(XRD),循环伏安曲线,交流阻抗谱,恒流充放电等测试方法分析了Ta含量对IrO2-Ta2O5氧化物涂层组织结构及电容性能的影响.结果表明,Ta2O5可抑制IrO2的晶化程度.随涂层中Ta含量增加,晶化度降低.当Ta含量为60 mol％时,IrO2-Ta2O5电极的结晶度为6.4％,具有较小的电荷转移电阻和最高的比电容(239.2 F/g),比IrO2电极比电容(54.1 F/g)提高了近4倍.
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稀有金属材料与工程
ISSN： 1002-185X
CN： 61-1154/TG
Year： 2017
Issue： 9
Volume： 46
Page： 2589-2593
0 . 2 9
JCR@2017
0 . 6 0 0
JCR@2023
ESI Discipline： MATERIALS SCIENCE;
ESI HC Threshold：306
JCR Journal Grade：4
CAS Journal Grade：4
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