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刘雪华 (刘雪华.) [1] | 邓芬勇 (邓芬勇.) [2] | 翁卫祥 (翁卫祥.) [3] | 王欣 (王欣.) [4] | 林玮 (林玮.) [5] | 唐电 (唐电.) [6]

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似,研究Ru掺杂SnO 2形成的Sn 0.875 Ru 0.125 O 2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构,比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明:Ru掺杂后SnO 2的晶胞体积缩小,复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化,导致材料的导电类型呈现近金属特性,揭示Ru掺杂后SnO 2导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的贡献。

Keyword:

Ru掺杂 Sn基氧化物 导电性能 电子结构 第一性原理计算

Community:

  • [ 1 ] 福州大学 材料研究所,福州 350108
  • [ 2 ] 福州大学 材料科学与工程学院,福州 350108
  • [ 3 ] 福建工程学院 材料科学与工程学院,福州 350108

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Source :

中国有色金属学报

ISSN: 1004-0609

Year: 2014

Issue: 5

Volume: 24

Page: 1333-1338

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