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翁卫祥 (翁卫祥.) [1] | 贾贞 (贾贞.) [2] | 于光龙 (于光龙.) [3] | 李昱 (李昱.) [4] | 郭太良 (郭太良.) [5]

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了Al2O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80 nm/560 nm/80nm,复合薄膜的平均击穿场强为2.7 MV.cm-1,较好地满足FED后栅结构中对介质膜耐压特性的要求.结合理论分析发现,Al2O3/SiO2复合薄膜在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制,其低场强区服从准欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主.

Keyword:

AL2O3 SIO2 复合薄膜 导通机制 电子束蒸发 电学性能

Community:

  • [ 1 ] 福州大学物理与信息工程学院,福建福州350108

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Source :

福州大学学报:自然科学版

ISSN: 1000-2243

CN: 35-1337/N

Year: 2011

Issue: 1

Volume: 39

Page: 67-71

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