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本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的电学性能。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201810061249.1
Filing Date： 2018/1/23
Publication Date： 2020/8/11
Pub. No.： CN108258058B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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