Indexed by：
Abstract：
本发明公开了一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法，以CuO纳米线为模板生长一维C/SnO2@C/C/CuO复合纳米线，再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板，随后再在H2/Ar还原性气氛中热处理，最终得到一维C/Sn@C/C复合纳米管。本发明运用CuO模板法制备出一维C/Sn@C/C复合纳米管，制备工艺简单，所制备的材料具有大比表面积，导电性好，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明授权
Patent No.： CN201210556114.5
Filing Date： 2012/12/20
Publication Date： 2014/7/30
Pub. No.： CN102983315B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 2
Affiliated Colleges：
