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本发明涉及一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法。该方法在钛酸锶衬底的(111)晶面上生长拓扑绝缘体Bi2Se3；而后用高斯分布的圆偏振激光在垂直入射的情况下激发拓扑绝缘体Bi2Se3的体态和表面态的光致逆自旋霍尔效应电流，测得当光斑位置在两电极连线的垂直平分线上移动时的光致逆自旋霍尔效应电流；最后，通过建立区分拓扑绝缘体Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的定量拟合模型，并进行模型拟合，得到体态和表面态的光致逆自旋霍尔电流。本发明方法，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用；且所得结果准确。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201710888588.2
Filing Date： 2017/9/27
Publication Date： 2019/7/9
Pub. No.： CN107819067B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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