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本发明涉及基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法，把电路表示为超图模型；将VLSI电路布局模型模拟为二维静电系统，将密度约束转化为静电系统的总势能N(v)=0的约束；基于泊松方程、边界条件和兼容性条件建立偏微分方程组；建立密度函数的解析式，并代入偏微分方程组；根据密度函数确定电势和电场的表达式；确定电势和电场表达式的收敛性；根据部分和得到电势和电场的求解表达式；由快速计算方法得到每个网格的电势和电场值，加权得到模块的电势和电场，在电场力作用下完成VLSI电路布局模型建立。本发明实可以提供高效实用的全局布局结果，尤其对大规模的实例，可满足目前VLSI全局布局阶段的需求。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201810543412.8
Filing Date： 2018/5/30
Publication Date： 2023-02-28 00:00:00
Pub. No.： CN108763777B
公开国别： 中国
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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