Abstract：
采用射频磁控溅射方法低温制备硫化铜薄膜正极,研究了硫化铜薄膜作为锂离子电池正极的储锂性能.结果表明,硫化铜薄膜正极具有较高的放电面积比容量,在10μA/cm2的电流密度下,第二次放电面积比容量为71.5 uAh/cm2,循环50次后,电极的放电面积比容量仍有37.5μAh/cm2,所以该低温溅射的硫化铜薄膜正极具有集成于集成电路的潜力.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
科技与创新
ISSN： 2095-6835
CN： 14-1369/N
Year： 2021
Issue： 19
Page： 62-63,65
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
