以原子层低温沉积技术（ALD）制备的氧化锌（ZnO）作为薄膜晶体管载流子传输层，将其与光电敏感性极高的CsPbBrI_2全无机钙钛矿薄膜复合进一步研制出光电晶体管用于光电探测。氧化锌薄膜晶体管可在150℃低温条件下制备且无需高温退火，同时，CsPbBrI_2钙钛矿薄膜也可以在低温工艺下制备。结果显示，CsPbBrI_2/ZnO光电探测器表现出较好的性能，可对365　nm至600　nm波长的光辐射有光响应。在500　nm波长的光照射下，最大响应度和探测率分别可达2×10~3A/W和3×10~(14)Jones。CsPbBrI_2/ZnO光电晶体管的瞬态响应显示出250　ms的上升时间和200　ms的下降时间，并且在长时间测量后瞬态行为保持不变。