Abstract:
综述了半导体光催化剂发生光腐蚀的机理,并总结了抑制光腐蚀的策略,包括调控半导体光催化剂的晶粒大小、形貌结构、结晶度等物理性质,以及掺杂杂原子、构建异质结结构、半导体复合、与碳基材料耦合、调节反应条件等方面,旨在深入揭示光腐蚀的发生途径和作用原理,为有效解决半导体光催化剂的光腐蚀问题提供指导意见。最后,总结和展望未来光催化剂光腐蚀的抑制策略。
Keyword:
Reprint 's Address:
Email:
Source :
莆田学院学报
ISSN: 1672-4143
CN: 35-1261/Z
Year: 2023
Issue: 02
Volume: 30
Page: 1-10
Cited Count:
SCOPUS Cited Count:
ESI Highly Cited Papers on the List: 0 Unfold All
WanFang Cited Count:
Chinese Cited Count:
30 Days PV: 1
Affiliated Colleges: