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在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5,沉积电位为-0.72~-0.75V(vs.SCE)的条件下,控制溶液的温度在30~50℃之间变化,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜。通过对薄膜的结构和光学性能研究,结果表明:溶液的温度越高,制备出的SnS薄膜更加致密,均匀,薄膜的衍射峰也越来越明显;同时SnS薄膜对光的吸收范围也向长波方向拓宽。
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功能材料与器件学报
Year： 2006
Issue： 01
Page： 27-30
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