Indexed by：
Abstract：
在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5,沉积电位为-0.72～-0.75V(vs.SCE)的条件下,控制溶液的温度在30～50℃之间变化,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对薄膜的结构和光学性能研究,结果表明:溶液的温度越高,制备出的SnS薄膜更加致密,均匀,薄膜的衍射峰也越来越明显;同时SnS薄膜对光的吸收范围也向长波方向拓宽.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
功能材料与器件学报
ISSN： 1007-4252
CN： 31-1708/TB
Year： 2006
Issue： 1
Volume： 12
Page： 27-30
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 5
Affiliated Colleges：
