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本发明公开了一种中远红外非线性光学晶体硫磷镉，其结构式为Cd3.5PS6，相对分子量616.78，属于单斜非中心对称晶系Cc，晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝108.74°，Z＝4。本发明制备过程是通过密封的真空石英管在高温下反应制备。本发明制得的Cd3.5PS6晶体因属硫属化合物在红外波段的透过率高，并且M‑S/Se键极化程度比氧化物的M‑O键更高，可以作为优异的中远红外非线性材料。本发明制得的Cd3.5PS6晶体具备优异的红外倍频性能，同时具备高损伤阈值，利于提高器件的使用寿命。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202210442332.X
Filing Date： 2022-04-25 00:00:00
Publication Date： 2023-09-15 00:00:00
Pub. No.： CN115216844B
公开国别： 中国
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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