Abstract：
小间距下制备铟凸点阵列时,常出现铟凸点高度较低、均匀性较差的情况.文中研究了小间距条件下热蒸镀过程中光刻工艺所形成的光刻胶孔径对于铟凸点沉积质量所带来的影响,并选取了合适的光刻和蒸镀参数,在8μm间距的Micro-LED芯片上成功制备了高度为4 μm的铟凸点阵列.实验表明,铟凸点的高度随光刻过程中形成的光刻胶孔径的增大而增大,增长率随之降低.在5 µm大小的光刻胶孔径下制备得到的铟凸点阵列高度较高且均匀性较好.
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光电子技术
ISSN： 1005-488X
Year： 2024
Issue： 3
Volume： 44
Page： 190-194
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