采用脉冲激光沉积技术生长出非晶氧化铟镓锌(Indium-gallium-zinc-oxide,IGZO)半导体沟道,并基于微纳加工工艺制备出高性能背栅场效应晶体管,系统研究了沉积温度、氧气压强、后退火对器件电学特性的影响.结果表明,最佳沉积温度为200℃,且随着氧气压强的增加,IGZO场效应晶体管的阈值电压单调正移,当氧气压强为15　Pa时,器件阈值电压大于0　V,晶体管从耗尽型转变到增强型,同时电流开关比提升了5个数量级达到107,提取得到的场效应迁移率为11.8　cm2/(V·s).通过X射线光电子能谱表征分析,阈值电压正移主要得益于氧气压强的增加降低了IGZO薄膜中的氧空位浓度(即载流子浓度).此外,为进一步优化器件的电学特性,在　250℃温度及Ar∶O2　氛围中进行了　2　h退火处理,IGZO场效应晶体管在阈值电压保持不变的同时,器件迁移率提升至16.1　cm2/(V·s),接触电阻从0.026　5　kΩ·mm降低至0.003　kΩ·mm.