Abstract：
采用脉冲激光沉积技术生长出非晶氧化铟镓锌（Indium-gallium-zinc-oxide,IGZO）半导体沟道，并基于微纳加工工艺制备出高性能背栅场效应晶体管，系统研究了沉积温度、氧气压强、后退火对器件电学特性的影响。结果表明，最佳沉积温度为200℃，且随着氧气压强的增加，IGZO场效应晶体管的阈值电压单调正移，当氧气压强为15 Pa时，器件阈值电压大于0 V，晶体管从耗尽型转变到增强型，同时电流开关比提升了5个数量级达到10～7，提取得到的场效应迁移率为11.8 cm
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固体电子学研究与进展
Year： 2025
Issue： 01
Volume： 45
Page： 86-90
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