Abstract：
采用基于配体交联反应的直接光刻法制备了均匀的红、绿、蓝三基色无镉量子点薄膜，并以此作为发光层制备出了高分辨全彩QLED器件（子像素直径为3μm）。引入不同的电荷阻挡层以降低器件非发光区域的漏电流。最终，采用PMMA电荷阻挡层可明显提升全彩无镉QLED器件性能，器件的最大亮度为26 204 cd/m
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光电子技术
Year： 2025
Issue： 02
Volume： 45
Page： 123-127
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