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石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层.为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条件,解释了直接生长的机理,直接生长的最佳条件为生长温度800℃,生长时间60 min,CH4和H2的分压比分别为1.59％和3.17％,该条件下得到具有明显2 D峰的多层石墨烯.利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低温生长并制造了相应的GaN-LED,测试了其性能,结果表明生长温度高于700℃时器件的性能明显降低.该研究对实现石墨烯在LED中的工业化应用具有积极意义.
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功能材料
ISSN： 1001-9731
CN： 50-1099/TH
Year： 2019
Issue： 3
Volume： 50
Page： 3085-3089
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