氧化锌(　ZnO)　作为一种宽禁带(　3.37　eV　)半导体材料，近10年来已成为纳米　材料领域的一个持续的研究热点。目前ZnO纳米阵列结构主要由液相法、气相法　及电沉积等方法制备[1,2]。本文采用直接电沉积方法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬　底上制备了ZnO纳米线薄膜[3,4]。并用存储有HNO3的琼脂糖模板对其阵列化刻蚀，　以二茂铁甲醇作为氧化还原电对,　通过循环伏安技术（CV）、扫描电子显微镜　（SEM）、扫描电化学显微镜(SECM)，对阵列的结构、形貌、电化学性质进行研　究。结果显示，随着沉积时间的延长，ITO基底的性质由导体向绝缘体性质转变，　通过SECM对ZnO纳米棒阵列成像，修饰有ZnO纳米线阵列的电流密度和ITO基底的电流密度存在着明显的差异。