Indexed by：
Abstract：
本发明涉及一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法，利用lift‑off工艺技术、旋涂成膜工艺技术及毛细渗透工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出牺牲层ZnO条形阵列、含纳米线状孔道阵列的光刻胶层、含有机纳米线阵列的有机半导体层，在有机半导体层表面及硅片衬底背面上分别形成金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，从而制备有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，该有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管具有特殊的有机纳米线导电阵列层，有效降低有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管的阈值电压，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明授权
Patent No.： CN201510344794.8
Filing Date： 2015/6/23
Publication Date： 2017/9/22
Pub. No.： CN105047819B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
