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以联苯四酸二酐（BPDA）和4,4’-二氨基二苯醚（ODA）为单体原料,利用溶液缩聚法制备聚酰亚胺（PI）绝缘膜,采用XRD、SEM、FT-IR对不同热亚胺化温度合成的PI薄膜结构和表面形貌进行了表征,利用超高阻微电流测试仪测试了热亚胺化温度和粉体含量对PI绝缘膜击穿场强的影响。结果表明,在真空度为1.0×10-2Pa条件下,300℃热亚胺化1h,聚酰亚胺酸（PAA）薄膜完全被热亚胺化,制备的PI绝缘膜内部结构致密;当BPDA和ODA的粉体含量为5%时,PI绝缘膜击穿场强高达2.15MV/cm,表明PI薄膜具有良好的电学性能。
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功能材料
ISSN： 1001-9731
CN： 50-1099/TH
Year： 2012
Issue： 23
Volume： 43
Page： 3201-3203,3207
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