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用两步法在ITO玻璃基片上制备SnS薄膜,即先在ITO玻璃基片上热蒸发一层Sn膜,然后在一定的温度和时间下在真空系统中进行硫化.在优化工艺条件下制备出附着力好的薄膜,通过扫描电子显微镜、X射线衍射、分光光度计等手段观察和分析测试,表明该薄膜是正交结构的SnS,薄膜表面致密,颗粒大小均匀.根据薄膜的反射光谱和透射光谱,计算得到其在吸收边的吸收系数α＞5×104cm-1,直接带隙Eg=1.48eV,适合于作为太阳能电池的吸收层材料.
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功能材料与器件学报
ISSN： 1007-4252
CN： 31-1708/TB
Year： 2008
Issue： 1
Volume： 14
Page： 47-50
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