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采用化学气相沉积法系统研究了合成温度和N_2/O_2流量对生长在碳纤维衬底上的SnO_2纳米线形貌及场发射性能的影响规律.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM),X射线衍射(XRD)及能谱仪(EDS)对产物细致表征,结果表明,SnO_2纳米线长径比随反应温度的升高而增大;随N_2/O_2流量比值的增大先增大后变小,场发射测试表明,合成温度780?C,N_2/O_2流量比为300:3时SnO_2纳米线阵列具有最佳的场发射性能,开启电场为1.03 V/μm,场强增加到1.68 V/μm时,发射电流密度达0.66 m A/cm~2,亮度约2300 cd/m~2.
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物理学报
ISSN： 1000-3290
CN： 11-1958/O4
Year： 2015
Issue： 23
Volume： 64
Page： 339-347
0 . 6 7 7
JCR@2015
0 . 8 0 0
JCR@2023
JCR Journal Grade：4
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