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＜正＞半导体硅材料由于其间接带隙的能带结构,使得它在光电器件应用方面受到较大的限制。1990年,Canham首次报道了多孔硅室温下光致发光的事实,使人们看到了硅材料在光电子领域诱人的应用前景。本文采用表面光电压谱(SPS)、荧光光谱和吸收光谱等研究了不同的制备工艺条件对多孔硅光电性质的影响。研究结果发现,多孔硅不仅具有光致发光的性质,而且其光电压相对于单晶硅有很大程度的提高。
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Year： 2000
Language： Chinese
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