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利用恒电位电沉积技术实现在ITO导电玻璃上沉积ZnS薄膜,用X射线粉末衍射、扫描电镜、原子力显微镜和X射线光电子能谱对制得的薄膜进行了研究.实验表明,用该方法制得的薄膜样品的主要成分是α-ZnS,薄膜表面均匀、致密和平整,平均粗糙度为3.112nm,颗粒的粒径大约为50—100nm.该薄膜中Zn原子和S原子化合价分别为+2价和-2价,原子个数比接近于1:1,没有探测到单质元素(Zn或S)沉积.
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福州大学学报：自然科学版
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2008
Issue： 1
Volume： 36
Page： 73-76
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