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本发明公开了一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，具体步骤为：首先，在平面绝缘基板上制备高度为10纳米到几百纳米，垂直截面图形可以是矩形、三角形或梯形的列状图案阵列；然后，在制备有列状图案的平面绝缘基板上，朝一倾斜方向沉积一层10纳米至500纳米的SED电子发射源薄膜；由于被列状图案阻挡的部分未被沉积到薄膜或者沉积到极为薄的薄膜；因此，直接或者经过后续干法刻蚀或湿法刻蚀，产生几纳米到几十纳米宽的间隙；最后，在所得基板上制作SED电子发射电极阵列。该SED电子发射源制作工艺十分简单，且产生电子发射的纳米间隙均匀可控。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201210117861.9
Filing Date： 2012/4/21
Publication Date： 2015/4/15
Pub. No.： CN102637561B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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