Indexed by:
Abstract:
本发明涉及一种磁性元件幅值磁导率和增量磁导率的直流励磁测量方法。首先,在磁性元件两端施加直流激励源,磁性元件充电至所需幅值电流;而后,磁性元件中的电流通过二极管和电阻放电至零,同时采样磁性元件放电过程的电压波形u(t)和电流波形i(t);最后,对电压波形u(t)和电流波形i(t)进行数据处理获得幅值磁导率和增量磁导率。本发明的直流励磁法中磁性元件两端直接施加直流激励源,完全避免了交流对直流磁导率测量的影响;测量方法简单可行,操作便捷,并且具有较高的测量精度。
Keyword:
Reprint 's Address:
Email:
Patent Info :
Type: 发明授权
Patent No.: CN201710941117.3
Filing Date: 2017/10/11
Publication Date: 2019/6/7
Pub. No.: CN107765199B
公开国别: CN
Applicants: 福州大学
Legal Status: 授权
Cited Count:
SCOPUS Cited Count:
ESI Highly Cited Papers on the List: 0 Unfold All
WanFang Cited Count:
Chinese Cited Count:
30 Days PV: 2
Affiliated Colleges: