硫化锑(Sb_2S_3)因其具有吸收系数大、熔点低(～550℃)、价格低廉、成本低等优良特性,在薄膜太阳能电池吸收层材料中受到广泛的关注。目前,由于缺陷和背接触势垒的限制,硫化锑太阳能电池的转换效率与成熟薄膜太阳能电池竞争仍有很长的路要走。后表面硒化已经被证明在改善Sb_2S_3与Au电极的背接触势垒方面是十分有效的,但单温区管式炉硒化中存在硒活性和硒化均匀性较低的问题。因此,我们开发了一种基于石墨盒的硒化策略,我们通过将快速热蒸发法(RTE)制备的Sb_2S_3薄膜与适量硒粒放置于特制的石墨盒中,然后将石墨盒放置于在RTP炉中在Ar气体的保护下退火,这种深度硒化策略有效地改善了Sb_2S_3与Au电极的背接触问题,同时大幅度地降低了Sb_2S_3薄膜的缺陷浓度。并在表面增加Spiro-OMeTAD作为空穴传输层,器件结构为FTO/TiO_2/Sb_2S_3/Se-treated/Spiro-OMeTAD/Au,器件的转换效率提升至6%以上。