Tin　dioxide　thin　films　were　prepared　by　pulsed　laser　deposition　techniques　on　clean　glass　substrates,　and　the　thin　films　were　then　annealed　for　30　min　from　50　to　550　degrees　C　with　a　step　of　50　degrees　C,　respectively.　The　influence　of　the　annealing　temperature　on　the　microstructural　and　morphological　properties　of　the　tin　dioxide　thin　films　was　investigated　using　X-ray　diffraction,　scanning　electron　microscopy,　transmission　electron　microscopy　and　selected　area　electron　diffraction.　The　experimental　results　showed　that　the　amorphous　microstructure　almost　transformed　into　a　polycrystalline　tin　dioxide　phase　exhibiting　a　preferred　orientation　related　to　the　(1　1　0),　(1　0　1)　and　(2　1　1)　crystal　planes　with　increased　temperatures.　The　thin　film　annealed　at　200　degrees　C　demonstrated　the　best　crystalline　properties,　viz.　optimum　growth　conditions.　However,　the　thin　film　annealed　at　100　degrees　C　revealed　the　minimum　average　root-mean-square　roughness　of　20.6　nm　with　average　grain　size　of　26.6　nm.　These　findings　indicate　that　the　annealing　temperature　is　very　important　parameter　to　determining　the　thin　film　quality,　which　involves　the　phase　formation,　microstructure　and　preferred　orientation　of　the　thin　films.　(C)　2009　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.