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采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法.
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Source ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
CN： 11-1870/TN
Year： 2004
Issue： 11
Volume： 25
Page： 1464-1468
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