超辐射发光二极管作为光纤陀螺的核心元件,其性能直接影响光纤陀螺的精度;其中超辐射发光二极管出光功率越高,光纤陀螺接收信号信噪比越好.InP/AlGaInAs增益材料具有电子限制效率高的优点,然而由于Al元素容易氧化,面临一定的应用可靠性问题.本文采用InP/InGaAsP作为增益材料,通过在外延结构上采用宽带隙电子阻挡层来提高量子阱的电子限制效率.试验结果表明,激光芯片最大出光功率从69　mW提升至92　mW.在此基础上,通过优化材料沉积速率改善增益区和应变电子阻挡层材料质量.结果显示,激光芯片可靠性得到较为明显改善,经过1　000　h寿命老化,样品阈值和功率变化率在合格范围之内.最后,进行超辐射发光二极管芯片制备.测试表明,电子阻挡层使得室温下SLD芯片饱和出光功率从　19　mW提高至　24　mW,饱和工作电流也有所提高,光谱宽度达到80　nm,光谱中心波长在1　500　nm附近;芯片1　000　h寿命老化阈值和光功率变化稳定,未出现性能退化样品.