A　HfO2/ZrO2/HfO2　(HZH)　high-k　stack　with　adequate　ZrO2　thickness　ratio　is　proposed　as　dielectric　in　metal-insulator-metal　(MIM)　capacitor　for　dynamic　random　access　memory　(DRAM)　applications.　The　dielectric　constant　(k)　of　43　is　achieved　when　the　ZrO2　thickness　ratio　is　73%.　An　equivalent　oxide　thickness　(EOT)　of　0.46　nm　and　leakage　current　density　(J(g))　of　9.4　x　10(-5)　A/cm(2)　are　simultaneously　achieved　with　a　total　HZH　physical　thickness　(T-ox)　of　5　nm.　The　leakage　current　may　be　caused　by　the　interface　traps　at　the　HZH　multi-interface　structure,　as　well　as　the　oxygen　vacancies　inside　HfO2　and　ZrO2.　To　suppress　J(g),　a　NH3　plasma　treatment　was　in　situ　conducted　during　atomic　layer　deposition　(ALD)　processes　of　HZH　deposition.　Through　nitrogen　incorporation　with　in　situ　NH3　plasma　treatment,　the　oxygen　vacancies　can　be　passivated,　and　Zr-O-N　bonds　would　be　formed　at　the　interface　to　suppress　the　formation　of　interface　traps.　The　sample　with　an　in　situ　NH3　plasma　treatment　at　the　interface　between　ZrO2　and　top　HfO2　(ZN)　can　obtain　a　reduction　in　leakage　current　density　by　48%　when　compared　with　those　without　ZN,　while　maintaining　the　capacitance　density　(C)　at　a　similar　value　of　around　7.4　mu　F/cm(2)　.　The　approaches　of　HZH　stack　and　in　situ　plasma　treatment　for　MIM　capacitor　are　promising　to　the　cell　in　DRAM　technology.