要使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SO绝缘膜.分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征；利用超高阻微电流测试仪测试了SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性；采用SiO2/PI/SO作为绝缘膜,制作了后栅型场致发射器件,使用场发射测试系统测试了器件的开启电压、发射电流以及发光亮度.结果表明:SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜具有高的击穿电压和低的漏电流密度,后栅器件中栅极对阴极表面的电场强度调控作用明显,阳极电压为750V时,栅极开启电压为91　V,阳极电流可达384μA,栅极漏电流仅为59μA,器件最高亮度可达600　cd/m2.