Abstract：
用热蒸发法技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,将其在真空条件下、在150～300℃温度下硫化45分钟。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和光电性能研究,结果表明：在不同温度下硫化所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异。并且,随着硫化温度的升高,薄膜的直接能带间隙在增大。当硫化温度为240℃时,所制备的薄膜最理想,为正交结构的SnS多晶薄膜,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,具有(111)方向优先生长,薄膜粒径在200～800nm,薄膜的直接能带间隙为1.46 eV。
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Year： 2008
Page： 171-177
Language： Chinese
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