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用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270 ℃的条件下硫化45 min.研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响.结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小; 但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型.当硫化温度为240 ℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800 nm,薄膜的直接能带间隙为1.46 eV,电阻率为25.54 Ω·cm.
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电子元件与材料
ISSN： 1001-2028
CN： 51-1241/TN
Year： 2009
Issue： 5
Volume： 28
Page： 65-68
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