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用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,在真空条件下,将其在150～300 ℃下硫化30~60 min.对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,结果表明:在不同温度和不同时间下硫化,所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异.当硫化温度为240 ℃、硫化时间为45 min时,所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜,其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好,具有(111)方向优先生长,薄膜粒径在200～800 nm,且晶格常数与标样的数值吻合很好.
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集美大学学报（自然科学版）
ISSN： 1007-7405
CN： 35-1186/N
Year： 2010
Issue： 1
Volume： 15
Page： 62-66
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