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在553 K、573 K、603 K、653 K、673 K硫化温度下用两步法制备FeS2薄膜.分析了所制薄膜的结构及光电性能等,同时还研究了硫化温度对两步法制备FeS2薄膜的影响规律.
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江西科学
ISSN： 1001-3679
CN： 36-1093/N
Year： 2006
Issue： 3
Volume： 24
Page： 245-248
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