• Complex
  • Title
  • Keyword
  • Abstract
  • Scholars
  • Journal
  • ISSN
  • Conference
成果搜索

author:

赵靖 (赵靖.) [1] | 张永爱 (张永爱.) [2] (Scholars:张永爱) | 袁军林 (袁军林.) [3] | 郭太良 (郭太良.) [4] (Scholars:郭太良)

Indexed by:

CQVIP PKU

Abstract:

利用氧离子辅助电子束蒸发沉积Ta2O5薄膜,在dd定氧离子能量的条件下研究了氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的微观结构、化学计量比和漏电流密度的影响.利用原子力显微镜和X射线衍射仪对Ta2O5薄膜微观结构进行表征研究,发现随着离子束流密度增大,沉积的Ta2O5薄膜致密性提高,粗糙度下降,但薄膜一直保持非晶态;同时能谱仪测试的结果表明,薄膜中O/Ta比例逐渐提高,直至呈现富氧状态.测量了不同薄膜样品的漏电流密度和击穿场强,发现随着离子束流密度增大,薄膜漏电流密度显著降低,击穿场强提高.总之,提高氧离子束流密度能够明显改善Ta2O5薄膜的微观结构和电学性能.

Keyword:

Ta2O5 化学计量比 漏电流密度 离子束流密度 离子辅助镀膜

Community:

  • [ 1 ] [赵靖]福州大学
  • [ 2 ] [张永爱]福州大学
  • [ 3 ] [袁军林]福州大学
  • [ 4 ] [郭太良]福州大学

Reprint 's Address:

Email:

Show more details

Related Keywords:

Source :

真空

ISSN: 1002-0322

CN: 21-1174/TB

Year: 2009

Issue: 4

Volume: 46

Page: 16-19

Cited Count:

WoS CC Cited Count:

SCOPUS Cited Count:

ESI Highly Cited Papers on the List: 0 Unfold All

WanFang Cited Count: -1

Chinese Cited Count:

30 Days PV: 1

Online/Total:200/10020017
Address:FZU Library(No.2 Xuyuan Road, Fuzhou, Fujian, PRC Post Code:350116) Contact Us:0591-22865326
Copyright:FZU Library Technical Support:Beijing Aegean Software Co., Ltd. 闽ICP备05005463号-1