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利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H_2S:N_2气氛中硫化制备Cu_2SnS_3薄膜。制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究了Cu/Sn原子比对Cu_2SnS_3薄膜性能的影响。结果表明,制备的薄膜是(Symbol`A@131)晶向择优生长的Cu_2SnS_3多晶薄膜,当Cu_2SnS_3薄膜的Cu/Sn原子比为1.91时,获得结晶性能优异、半导体性能满足太阳电池对吸收层要求的P型Cu_2SnS_3半导体薄膜,此薄膜在其光学吸收边具有较高...
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功能材料
ISSN： 1001-9731
CN： 50-1099/TH
Year： 2020
Issue： 11
Volume： 51
Page： 11171-11174
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