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利用磁控溅射法在玻璃基片上依次沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H_2S:N_2气氛中硫化制备Cu_2SnS_3薄膜。分利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究了硫化温度对Cu_2SnS_3薄膜性能的影响,结果表明,硫化温度为460℃时,制备出结晶性能好的P型Cu_2SnS_3半导体薄膜,此薄膜具有合适的载流子浓度～10~(17)/m~3、较高的载流子迁移率4.40 cm~2/(v·s)、较低的电阻率4.34Ω·cm。通过此综合实验的设计、Cu_2SnS_3薄膜的制备、性能表征和分析,有利于提高学生的实践能...
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实验科学与技术
ISSN： 1672-4550
CN： 51-1653/N
Year： 2020
Issue： 06
Volume： 18
Page： 29-33
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