In　this　study,　a　patterned　InP/ZnS　quantum　dots　photoresist　(QDPR)　film　has　been　prepared　via　a　laser-assisted　route　after　the　QDPR　mixture　solution　composed　of　the　as-synthesized　InP/ZnS　quantum　dots　(QDs)　and　the　photoresist　was　spin-coated　on　the　glass　substrate　at　a　room　temperature　for　60　min.　The　effects　of　the　thickness　of　the　film　and　the　mass　ratio　of　InP/ZnS　QDs　to　photoresist　on　the　photoluminescent　quantum　yield　(PLQY)　were　investigated　to　confirm　the　potential　application　of　InP/ZnS　QDPR　film　in　color　conversion.　The　experimental　results　show　that　PLQY　can　be　enhanced　by　up　to　35.8%　and　the　color　coordinate　can　be　changed　from　(0.26,　0.13)　to　(0.58,　0.24)　with　the　assistance　of　5.5　pairs　of　distributed　Bragg　reflectors　(DBRs).　The　remarkable　PLQY　enhancement　and　color　coordinate　variation　is　mainly　attributed　to　the　DBR　structures,　which　could　integrate　the　emission　light　from　the　InP/ZnS　QDPR　color　converter　layer　excited　by　the　blue　OLEDs　and　considerably　reduce　the　transmittance　of　the　blue　light.　On　the　basis　of　the　results,　the　patterned　InP/ZnS　QDPR　film,　as　the　color　conversion　source,　can　exhibit　a　potential　application　in　the　next-generation　full-color　displays.