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郑俊杰 (郑俊杰.) [1] | 郭家玮 (郭家玮.) [2] | 李文豪 (李文豪.) [3] | 吴朝兴 (吴朝兴.) [4] (Scholars:吴朝兴) | 郭太良 (郭太良.) [5] (Scholars:郭太良)

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PKU

Abstract:

高刷新率显示器对氮化镓基发光二极管(GaN-LED)驱动频率提出更高的要求,因此研究GaN-LED的频率响应特性具有重要意义.研究了方波交流电压驱动下GaN-LED发光强度的频率响应特性.结果表明,LED的发光强度波形与电压波形存在固定的迟滞时间(约27 ns),且该迟滞时间不随驱动频率改变.在所施加的交流驱动频率范围内(100 kHz~50 MHz),发光强度呈现四个不同的区域:即随着频率的升高,LED发光强度先保持稳定,随后下降,再次上升,最后衰减直至停止工作.文中阐述了形成四个区域的原因.该研究有望为基于LED的超高帧速率显示器件驱动设计提供依据.

Keyword:

GaN-LED 发光强度 载流子迁移 频率响应特性

Community:

  • [ 1 ] [郑俊杰]福州大学
  • [ 2 ] [李文豪]福州大学
  • [ 3 ] [郭家玮]福州大学
  • [ 4 ] [吴朝兴]福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350108;中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室) ,福建 福州 350108
  • [ 5 ] [郭太良]福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350108;中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室) ,福建 福州 350108

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Source :

电子元件与材料

ISSN: 1001-2028

CN: 51-1241/TN

Year: 2023

Issue: 1

Volume: 42

Page: 57-62

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